当试品电容量较小且表面受潮脏污时，消除表面泄漏对tgδ值的影响是很重要的，一般在现场试验时，用软裸金属线或金属片紧贴试品表面绕成屏蔽环并与电桥的屏蔽相接，使表面泄漏电源不经桥臂而直接引回电源。屏蔽环的装设应尽量靠近被试品的接线端，以减小对原电场分布的改变。 
    1、消除介质损耗测试仪磁场干扰 
  在试验前，先检查是否有磁场干扰。为了减小干扰，通常使电桥远离干扰源， 
    2、消除介质损耗测试仪温度对tgδ值的影响 
    试品的tgδ值是随温度上升而增加的。为了便于比较设备绝缘情况，在不同温度下所测得的tgδ值都应当归算至20℃，通常tgδ的试验在10℃~30℃的温度下进行，其结果核算后比较准确。

油浸式电力变压器绕组的tgδ允许值（%） 
注：同一变压器中压和低压绕组的tgδ标准与高压绕组相同 

另外，测量得到的tgδ值（%）与历年的数值比较不应有显著变化。当被测变压器的温度与制造厂试验时的温度不同时，应将制造厂所测数据换算到试验温度下的数据再进行比较，当由较高温度向较底温度换算时应除以下表所列的温度换算系数。

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